На Memory Tech Day 2023 Samsung объявила о начале производства нового поколения памяти с высокой пропускной способностью — HBM3E Shinebolt. Кроме того, компания рассказала о первых образцах видеопамяти стандарта GDDR7.
Samsung удалось увеличить скорость HBM3E до 9,8 Гбит/c. По сравнению с HBM3 скорость выросла на 31,75 %. Теоретическая пропускная способность памяти достигает 1,2 ТБ/c. Также Samsung увеличила объем чипов HBM3E с 2 ГБ до 3 ГБ. Максимальное число микросхем памяти на чип — 12, что дает до 36 ГБ суммарного объема памяти. HBM3E будет применяться в системах с высокими вычислительными нагрузками и в ускорителях ИИ.
Samsung удалось увеличить скорость HBM3E до 9,8 Гбит/c. По сравнению с HBM3 скорость выросла на 31,75 %. Теоретическая пропускная способность памяти достигает 1,2 ТБ/c. Также Samsung увеличила объем чипов HBM3E с 2 ГБ до 3 ГБ. Максимальное число микросхем памяти на чип — 12, что дает до 36 ГБ суммарного объема памяти. HBM3E будет применяться в системах с высокими вычислительными нагрузками и в ускорителях ИИ.
На Memory Tech Day 2023 Samsung объявила о начале производства нового поколения памяти с высокой пропускной способностью — HBM3E Shinebolt. Кроме того, компания рассказала о первых образцах видеопамяти стандарта GDDR7.
Samsung удалось увеличить скорость HBM3E до 9,8 Гбит/c. По сравнению с HBM3 скорость выросла на 31,75 %. Теоретическая пропускная способность памяти достигает 1,2 ТБ/c. Также Samsung увеличила объем чипов HBM3E с 2 ГБ до 3 ГБ. Максимальное число микросхем памяти на чип — 12, что дает до 36 ГБ суммарного объема памяти. HBM3E будет применяться в системах с высокими вычислительными нагрузками и в ускорителях ИИ.
Что касается GDDR7, то Samsung обещает прирост производительности на 40 % и прирост эффективности на 20 % относительного прошлого поколения видеопамяти. Сейчас Samsung тестирует GDDR7, работающую со скоростью 32 Гбит/c. Однако компания также планирует выпуск памяти со скоростью 36 Гбит/c. Общая пропускная способность тестируемых чипов может достигать 1,5 ТБ/c при использовании 384-битной шины. Также Samsung рассказала, что планируется запуск не только стандартной GDDR7, но и памяти с пониженным потреблением, которая предназначена для ноутбуков. Ожидается, что GDDR7 массово появится на рынке только в следующем году. Память дебютирует в следующем поколении видеокарт NVIDIA и AMD.
