По оценкам Neo, технология 3D X-DRAM может обеспечить плотность 128 Гб
3D-стекинг кремния существует уже несколько лет. Мы видели его в последних процессорах AMD Ryzen с технологией 3D V-Cache, однако это первый случай когда технология 3D-стекинга была применена к оперативной памяти компьютера (то есть DDR4 и DDR5). По сравнению с текущими 2D-решениями, 3D-XDRAM позволяет размещать модули DRAM вертикально (3D) друг над другом для повышения плотности и общего объема памяти. Новая технология Neo 3D X-DRAM использует структуру массива ячеек DRAM подобную 3D NAND. Сообщается, что она дешева и проста в изготовлении, но при этом имеет значительно больший объем памяти по сравнению с современными конструкциями DRAM.
Мы не знаем, насколько быстрыми и объемными будут модули DRAM с 3D X-DRAM, но эта технология имеет огромное значение для всей вычислительной отрасли, особенно на рынке высокопроизводительных серверов где большие блоки памяти (свыше 1 ТБ) необходимы для выполнения сложных рабочих нагрузок, таких как моделирование и машинное обучение. Основываясь на анализе Neo, в будущем у нас могут быть отдельные модули памяти DIMM емкостью от 4 ТБ до 8 ТБ с 3D X-DRAM, что является удивительным объемом, учитывая, что большинство серверов сейчас имеют максимальную емкость памяти 8 ТБ.
Neo сообщает, что вся полупроводниковая промышленность переходит на трехмерную многоуровневую технологию для системной памяти из-за ее впечатляющей функциональности. Сообщается, что трехмерное стекирование позволит отрасли избежать десятилетий затрат и задержек производства, связанных с плотностью DRAM, а также неизбежных производственных сбоев. Neo ожидает стремительного развития 3D X-DRAM в течение следующих 15 лет, при этом плотность будет линейно увеличиваться со 128 Гб до 1 Тб с 2024 по середину 2030-х годов.
